[发明专利]侧壁有源接脚存储器及其制造方法

摘要

一种形成具有复合层的存储单元的方法被提出。此复合层具有一第一电极、覆盖此第一电极的一绝缘层与此覆盖此绝缘层的一第二电极。形成一侧壁空间，此侧壁空间包括一个具有第一电极与第二电极的可程序化阻抗材料。通过沉积覆盖在复合层侧壁上的可程序化阻抗材料层、各向异性地蚀刻此可程序化阻抗材料层以除去隔开此侧壁的部分与选择性地根据此侧壁空间大小所定义出来的图案蚀刻此可程序化阻抗材料层，此大小在实施例中约小于等于为40纳米。

主权项

1.一种形成一存储单元的方法，包括：形成一第一电极，一绝缘层配置于一第一电极之上，一第二电极配置于该绝缘层之上，且该绝缘层具有一侧壁；在一侧壁上形成一间隔物，该间隔物包括一可程序化阻抗材料，该可程序化阻抗材料与该第一电极及该第二电极电连接，该间隔物具有一长度、一宽度及一厚度，该长度沿着该侧壁从该第一电极延展至该第二电极，该宽度与该长度垂直，而该厚度取决于该相变化材料的该绝缘层的厚度，且其中形成该间隔物包括：沉积一可程序化阻抗材料层于侧壁上；各向异性蚀刻可程序化阻抗材料层以移除除侧壁外的部分区域的可程序化阻抗材料；及选择性地依据一图案蚀刻可程序化阻抗材料以界定该间隔物的该宽度，该宽度小于40纳米。