[发明专利]具有基于沟槽的源电极和栅电极的功率器件无效
| 申请号： | 200510124958.2 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1790745A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | D·A·吉达尔;L·马 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括形成在半导体主体内的多个沟槽，每个沟槽包括一个或更多的形成于其中的电极。特别地，依据本发明的实施例，半导体器件的多个沟槽可包括一个或更多的栅电极，可包括一个或更多的栅电极或一个或更多的源电极，或可包括形成于其中的栅电极和源电极的组合。沟槽和电极在半导体主体内可具有不同的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 沟槽 电极 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：第一导电类型的半导体主体；在所述半导体主体内延伸至第一深度的多个栅沟槽；在所述半导体主体内延伸至第二深度的多个源沟槽，所述第二深度比所述第一深度大；在所述多个栅沟槽的每一个内的绝缘栅电极；在所述多个源沟槽的每一个内的绝缘源电极；第二导电类型的沟道区，在所述半导体主体中并具有邻近每个所述多个源沟槽的蚀刻表面；接触所述源电极并沿所述蚀刻表面接触所述沟道区的源接触；且其中所述多个栅沟槽和所述多个源沟槽以蜂窝状图案布置。
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