[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件在进行非易失性存储器的定标(scaling)时，1个存储单元中也可保持多比特的信息。在MONOS晶体管的沟道部分形成沟槽TR1。并且，使栅绝缘膜120中的氮化硅膜122中的夹持沟槽TR1的源侧部分和漏侧部分具有用作可保持电荷CH1，CH2的第一和第二电荷保持部的功能。这样，捕获电荷CH1后捕获电荷CH2时，栅电极130中沟槽TR1内的部分130a起到屏蔽的作用。如果向栅电极130上提供固定电极，则电荷CH1诱发的电场EF1的影响不会波及到第二电荷保持部，从而不会妨碍电荷CH2的捕获。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体基板，具有表面；MIS即金属绝缘半导体晶体管，包括在上述半导体基板内面对上述表面形成的源区域、与上述源区域隔离且在上述半导体基板内面对上述表面形成的漏区域、在被上述表面中的至少上述源区域和上述漏区域夹持的部分上形成的栅绝缘膜、以及在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，上述栅绝缘膜中，可保持电荷的第一和第二电荷保持部在连结上述源区域和上述漏区域的方向上彼此相对且隔开地形成，上述栅绝缘膜中，由上述第一和第二电荷保持部夹持的部分的膜厚比形成上述第一和第二电荷保持部的部分的膜厚还小，上述第一和第二电荷保持部之间插入上述栅电极。