[发明专利]有提供线性正电阻温度系数的掺杂SiC电阻的温度相关器件无效

专利信息
申请号: 200510125044.8 申请日: 2001-07-20
公开(公告)号: CN1773231A 公开(公告)日: 2006-05-17
发明(设计)人: J·D·帕森斯 申请(专利权)人: 希脱鲁尼克斯
主分类号: G01K7/16 分类号: G01K7/16;H01C7/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张政权
地址: 美国内*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种高温混合电路结构,其中包括一通过电极(4a,4b)与一导电安装层(8)连接的温度感测器件(2),该温度敏感器件包含SiC、AlN和/或AlxGa1-xN(x>0.69),所述导电安装层(8)与一A1N模片(6)相结合。所述模片、温度感测器件以及安装层(它可以是W、WC或W2C)的温度膨胀系数彼此都在1.06内。安装层可完全由W、WC或W2C黏合层或一带有一金属化叠层(14)的黏合层(12)构成,所述金属化叠层的热膨胀系数不大于所述黏合层的约3.5倍。可使用反应的硼硅酸盐混合物(18),用或不用有助于保持住导线(16)并增加结构完整性的上模片(22)来封装该器件。本发明可用于温度感测器、压力感测器、化学感测器以及高温和高功率电子线路。
搜索关键词: 提供 线性 电阻 温度 系数 掺杂 sic 相关 器件
【主权项】:
1.一种与温度相关器件,其特征在于,该温度相关器件包括:运行系统(28),该运行系统依赖于一基本上线性正电阻温度系数,以及掺杂的SiC电阻(2),该电阻与所述运行系统连接以提供所述基本上线性正电阻温度系数。
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