[发明专利]使用CMP的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510125066.4 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1897227A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 井谷直毅 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3105;B24B37/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在形成STI的CMP中，使用包含二氧化铈磨粒及界面活性剂的添加剂的第一研磨剂，抛光在半导体衬底上形成的膜的表面，直至将膜的表面平坦化；使用具有物理抛光功能的第二研磨剂，抛光膜的表面；及使用包含二氧化铈磨粒、界而活性剂的添加剂和稀释剂的第三研磨剂，抛光膜的表面。该制造方法还包括如下步骤：在半导体衬底上形成布线；通过HDP－CVD沉积掩埋布线的第一绝缘膜；通过不同于HDP－CVD的沉积方法在第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；及使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂通过CMP将第二绝缘膜平坦化。因而可解决大尺寸衬底在抛光后出现的膜残留问题，并抑制层间绝缘膜的晶片级厚度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 cmp 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在将第一研磨剂提供至设有抛光垫的抛光台的同时，利用所述抛光垫，并由抛光头支撑半导体衬底，抛光在所述半导体衬底上形成的膜的表面，直至将所述膜的表面平坦化，其中所述第一研磨剂包含二氧化铈磨粒及界面活性剂的添加剂；(b)在所述步骤(a)之后，使用具有物理抛光功能的第二研磨剂，抛光所述膜的表面；以及(c)在所述步骤(b)之后，使用包含二氧化铈磨粒、界面活性剂的添加剂和稀释剂的第三研磨剂，抛光所述膜的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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