[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：硅衬底(14)，其在表面中形成一个台阶，该台阶使得闪存单元区(10)的表面比外围电路区(12)的表面低；器件隔离区(20a)，其形成在闪存单元区(10)中的沟槽(18)中；器件隔离区(20c)，其形成在外围电路区(12)中的比沟槽(18)深的沟槽24中；闪存单元(46)，其包括形成在器件隔离区(20a)限定的器件区上的浮动栅极(32)和控制栅极(40)；以及晶体管(62、66)，其形成在器件隔离区(20c)限定的器件区上。本发明允许在不会使步骤变得复杂的条件下形成不同深度的沟槽，以及以高精确度形成微小的存储单元。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其在表面中形成一个台阶，该台阶使得第一区的表面比第二区的表面低；第一器件隔离区，其形成在该第一区中的半导体衬底中形成的第一沟槽中；第二器件隔离区，其形成在该第二区中的半导体衬底中形成的第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽深；存储单元，其包括：浮动栅极，其形成在该第一器件隔离区限定的第一器件区上，且在该浮动栅极与该第一器件区之间形成第一绝缘膜；以及控制栅极，其形成在该浮动栅极上，且在该控制栅极与该浮动栅极之间形成第二绝缘膜；以及晶体管，其形成在该第二器件隔离区限定的第二器件区上。