[发明专利]集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200510125166.7 | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1801468A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;王大维;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路(IC)的制造方法，可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后，于栅极侧壁形成超低温间隙壁；也可在超晕圈形成后，进行高斜角的延伸掺杂；或可在延伸掺杂后，进行固相外延，再进行低温制程，或者也可在进行口袋掺杂后，先进行热回火，然后再进行上述的延伸掺杂步骤；或者可先进行高能量低剂量的倾斜源极/漏极掺杂，再进行高剂量的源极/漏极掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，至少包括如下步骤：提供一基板，其中该基板上至少已形成一栅极结构，且该栅极结构至少包括依序堆迭的一介电层以及一导电层；对该基板进行高斜角的一口袋掺杂步骤；在该栅极结构的侧壁上形成一偏移间隙壁；以及对该基板进行一延伸掺杂步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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