[发明专利]填充开口、介层开口与沟槽的方法有效
| 申请号： | 200510125252.8 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1790627A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 严永松;陈桂顺;林嘉祥;林嘉祺;林宗宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种填充开口、介层开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏－密介层图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽制程最佳化且减化制程步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 开口 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
1.一种填充开口的方法，其特征在于，所述填充开口的方法包括：提供具有至少一开口的一半导体基底；形成一光致抗蚀剂层于该半导体基底上，以部分填充该开口；形成一热回流材料层于该光致抗蚀剂层上，以完全填充该开口；执行一热回流制程，以形成一交联层于该热回流材料层与该光致抗蚀剂层间；其中，该交联层为该热回流材料层的反应部分；以及其中，该交联层与该光致抗蚀剂层的组合完全填充该开口且作为一牺牲填充材料层；以及将该热回流材料层的未反应部分从该牺牲填充材料层移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
