[发明专利]具低电压触发双极性晶体管的静电放电防护单元

摘要

一种具低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的静电放电(ESD)防护单元，以有效防护集成电路的内部回路免于静电电压的冲击。该静电放电防护单元利用一检测电路，在该电源之高电压端、接地端或针脚输入/输出(I/O)端之间，有效率地触发该低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的触发端如一高掺杂区。当该检测电路的一触发信号触发前述低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的触发端时，即可降低该低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的阈值电压，使该低电压触发双极性晶体管的触发速度加快，以迅速释放该静电电流。

主权项

1.一种静电放电防护单元，提供从一I/O垫到一高电压端VDD或一低电压端VSS的静电放电路径，其特征在于：该静电放电防护单元包括连接该I/O垫的第一、第二静电放电检测电路，一N触发型低电压触发双极性晶体管装置，以及一P触发型低电压触发双极性晶体管装置；其中该N触发型低电压触发双极性晶体管装置包括连接该高电压端VDD的一射极、连接到该I/O垫的一集极、以及一N触发端连接到该第一静电放电检测电路的一输出端，且该N触发型低电压触发双极性晶体管在该I/O垫与该高电压端VDD间具有一静电时，该第一静电放电检测电路输出一高能阶输出信号至该N触发型低电压触发双极性晶体管的该N触发端，以触发并导通该N触发型低电压触发双极性晶体管；该P触发型低电压触发双极性晶体管装置包括一连接该I/O垫的一射极、一连接到该低电压端VSS的一集极、以及一P触发端连接到该第二静电放电检测电路的一输出端，且该P触发型低电压触发双极性晶体管在该I/O垫与该低电压端VSS间具有静电时，该第二静电放电检测电路输出一低能阶触发信号至该P触发型低电压触发双极性晶体管的该P触发端，以触发并导通该P触发型低电压触发双极性晶体管。