[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置在与在三阱上形成的第三N型阱(18)的外围连接的区域上，将与第三阱的导电型相反的杂质导入形成第四P型阱(20)。此时，使导入的杂质浓度，比在形成第三N型阱(18)时所导入的杂质浓度低。这样通过形成第四P型阱(20)，由于提高了第三N型阱(18)和第四P型阱(20)之间的接点耐压，因此能够降低给半导体基板施加的基准电位。并且通过控制使基准电位变低从而能够抑制闩锁现象的产生。从而提供一种具有抑制闩锁现象产生的三阱构造的半导体装置。

主权项

1、一种半导体装置，是包括：半导体基板；第一阱，其在半导体基板的主面的一部分上选择性地形成，与半导体基板的导电型相反；第二阱，其在第一阱的表面区域的一部分上选择性地比第一阱浅地形成，与半导体基板的导电型相同；第三阱，其在作为第一阱的表面区域的、未形成第二阱的区域比第一阱浅地形成，与半导体基板的导电型相反，并在第二阱以及第三阱的表面区域形成元件的半导体装置，其特征在于，具有第四阱，其在半导体基板的主面中未形成第一阱且与第三阱连接的表面区域形成，将与半导体基板相同导电型的杂质以比第三阱低的浓度导入。