[发明专利]分离式栅极快闪存储单元及其形成方法

摘要

一种分离式栅极快闪存储单元包括：一半导体衬底；第一绝缘层，置于该半导体衬底上；一浮动栅极，置于该第一绝缘层上，其中该浮动栅极具有第一宽度；第二绝缘层，置于该浮动栅极上；一控制栅极，置于该第二绝缘层上；一顶盖层，置于该控制栅极上，其中顶盖层、控制栅极以及第二绝缘层具有相同的第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度；第三绝缘层，置于该控制栅极、该第二绝缘层、该浮动栅极、该第一绝缘层的侧壁、以及该半导体衬底上；以及一抹除栅极，置于该第三绝缘层上。由于浮动栅极形成一突出于控制栅极底部的突出部轮廓，藉此突出部轮廓增加的面积改变电荷分布以形成一尖端放电场，因此可增进浮动栅极至抹除栅极间的抹除效率。

主权项

1.一种分离式栅极快闪存储单元的制造方法，包括：提供一半导体衬底；依序形成一第一绝缘层、一第一导体层、一第二绝缘层、一第二导体层、一顶盖层于该半导体衬底上方；进行一第一蚀刻工艺，移除部份该顶盖层、部份该第二导体层以及部份该第二绝缘层，而露出该第一导体层的部分表面，其中蚀刻后的该顶盖层、该第二导体层、以及该第二绝缘层的侧壁为共平面；分别形成一第一侧壁子与一第二侧壁子于蚀刻后的该顶盖层、该第二导体层、以及该第二绝缘层的二侧壁上；进行一第二蚀刻工艺，以该第一侧壁子与该第二侧壁子为掩模，移除部分该第一导体层与部分该第一绝缘层，而露出该半导体衬底的部分表面，其中蚀刻后的该第一导体层与该第一绝缘层的侧壁为共平面；剥除该第一侧壁子与该第二侧壁子；形成一第三绝缘层于蚀刻后的该第一导体层与该第一绝缘层的侧壁、以及该半导体衬底上；以及形成一第三导体层于该第三绝缘层上。