[发明专利]超双亲性和超疏水性的二氧化钛纳米管阵列膜的制备方法无效
申请号: | 200510125502.8 | 申请日: | 2005-11-16 |
公开(公告)号: | CN1760113A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 林昌健;赖跃坤;孙岚 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;C01G24/047 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 陈永秀;马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 涉及超双亲性和超疏水性的二氧化钛纳米管阵列膜的制备方法。配制0.1~5wt%HF的电解液;控制电压为1~50V,用一般金属作对电极进行电化学阳极氧化,阳极氧化5~120min,直接在基体上制备得到结构有序、形貌尺寸可控的二氧化钛纳米管膜层。该膜层在无需紫外光诱导的条件下,可长期保持超双亲特性。经煅烧后,形貌基本保持不变且仍然具有超双亲性能。经氟硅烷修饰后,二氧化钛纳米管膜层从超亲水向超疏水转变,长期放置仍可保持该超疏水性,而且膜层的耐腐蚀性能有明显提高。具有实用性强、操作简单、可控性强、所需设备简易等优点,可望进一步发展成为高性能催化剂、气敏剂或其它特殊功能材料。 | ||
搜索关键词: | 双亲 疏水 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.超双亲性和超疏水性的二氧化钛纳米管阵列膜的制备方法,其特征在于其步骤为:1)将基底材料表面机械打磨,清洗干净备用,所说的基底材料为纯钛或钛合金;2)配制0.1~5wt%HF的电解液;控制电压为1~50V,用金属作对电极进行电化学阳极氧化,阳极氧化5~120min,即可在基底材料表面获得结构有序、形貌可控、具有超双亲性的二氧化钛纳米管膜层;3)配制1%的氟硅烷甲醇溶液,在搅拌下加入3倍于氟硅烷量的去离子水,继续搅拌1~2h,静置2~3h待用;4)将阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列双亲性纳米膜悬置在步骤3)所得的溶液中浸泡1~2h后取出,在130~150℃干燥1~2h,获得具有超疏水性的二氧化钛纳米管膜层。
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