[发明专利]改进的侧向外延法

摘要

本发明揭示改进的ELO方法，克服ELO方法的缺点。改进的ELO方法的一个具体实施实例的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，生长第一氮化镓外延层。在第一氮化镓外延层上层叠掩膜层，蚀刻第一掩膜层形成第一氮化镓窗口和第一掩膜层条。生长第二氮化镓外延层，覆盖第一掩膜层条，在第二氮化镓外延层上层叠反射/欧姆/应力缓冲层或导电反射/欧姆/应力缓冲层，键合绝缘或导电支持衬底(导电支持衬底的暴露的一面上层叠电极)，剥离上述生长衬底、第一氮化镓外延层、第一掩膜层条、和第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，没有空洞的第二氮化镓外延层暴露，进行热处理。生长氮化镓外延层并在其上层叠掩膜层和蚀刻掩膜层的工艺步骤可以重复多次。

主权项

1.一种改进的侧向外延方法，其工艺步骤包括，但不限于：(a)层叠第一氮化镓外延层于生长衬底上；(b)层叠第一掩膜层于所述的第一氮化镓外延层上；(c)蚀刻所述的第一掩膜层以形成第一氮化镓窗口和第一掩膜层条；(d)层叠第二氮化镓外延层于所述的第一氮化镓窗口和第一掩膜层条上；(e)层叠反射/欧姆/应力缓冲层于所述的第二氮化镓外延层上；其中，层叠所述的反射/欧姆/应力缓冲层的方法包括，但不限于：真空蒸镀，真空溅镀，化学镀，电镀，外延生长，等；(f)键合支持衬底于所述的反射/欧姆/应力缓冲层上；所述的键合的方法包括，但不限于：真空蒸镀，真空溅镀，化学镀，电镀，金属键合，等；(g)剥离所述的生长衬底、所述的第一氮化镓外延层、所述的第一掩膜层条、和所述的第二氮化镓外延层中带有空洞的部分；第二氮化镓外延层中的没有空洞的部分暴露；(h)热处理。