[发明专利]在半导体本体内制造接触孔的方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 200510125559.8 | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1794434A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | M·佩尔茨尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在来自这样结构的半导体本体(1)内制造接触孔(12)的方法，其中：在半导体本体(1)内提供了多个相互之间通过台面区(3)隔离的沟槽(2)，在沟槽(2)内提供电极(4)，电极通过第一绝缘层(6)与半导体本体(1)电绝缘，且电极的上端比沟槽的上端位于更深的深度。该方法包括如下两个步骤：通过使结构的表面经历热氧化处理来产生第二绝缘层(10)，它覆盖结构表面的至少部分(7、8、9)，且以半导体本体(1)在台面区(3)的区域暴露的方式进行平坦化处理，且使用在平坦化处理后剩余的第二绝缘层(10)的剩余物作为接触孔掩模以在台面区(3)形成接触孔(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 体内 制造 接触 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于在来自这样的结构的半导体本体(1)中制造接触孔(12)的方法，在该结构中：-在半导体本体(1)中提供多个相互之间通过台面区(3)隔离的沟槽(2)，以及-在沟槽(2)内提供通过第一绝缘层(6)与半导体本体(1)电绝缘的电极(4)，且电极的上端比沟槽的上端位于更深的深度，该方法具有如下步骤：-通过使结构的表面经历热氧化处理来产生第二绝缘层(10)，它覆盖了结构表面的至少部分(7、8、9)，以及-以半导体本体(1)在台面区(3)的区域暴露的方式进行平坦化处理，以及-使用在平坦化处理后剩余的第二绝缘层(10)的剩余物作为接触孔掩模以在台面区(3)中形成接触孔(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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