[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510125714.6 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1822329A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;贾敬东 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。一介电层位于具有一导体区的一半导体基底上，上述介电层的介电常数小于3.9。一氧碳化硅层位于上述介电层上、与一氧氮化硅层位于上述氧碳化硅层上。一导体层则嵌于上述氧氮化硅层、上述氧碳化硅层、与上述介电层中，并电性连接上述导体区。本发明所述的半导体装置及其制造方法，不但具有高速的性能，亦具有非常高的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包含：提供一半导体基底；形成至少一介电层于该基底上；沉积第一抗反射层于该介电层上，该第一抗反射层包含氧碳化硅；以及沉积第二抗反射层于该第一抗反射层上，该第二抗反射层包含氧氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
