[发明专利]降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置无效
| 申请号： | 200510125717.X | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1877793A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 黄宗勋;林国楹;喻中一;吴志达;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;罗迎难 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，其中该方法包括提供一半导体基底，至少在该半导体基底上形成一元件，在该半导体基底上形成一第一介电层，使该第一介电层覆盖该元件，在该第一介电层上形成一含氢层，在该第一介电层以及该含氢层上形成一氮化硅层，以及将该含氢层中的氢原子导入该第一介电层中。本发明所述降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，可避免在氢形成气体回火步骤的过程中，氮化硅层阻挡到氢的渗透，可使氢原子可顺利到达例如金属间介电层之中，用以修复位于金属间介电层之中的悬键，因此可达到降低漏电流的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 装置 漏电 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种降低半导体装置的漏电流的方法，所述降低半导体装置的漏电流的方法包括：提供一半导体基底，至少在该半导体基底上形成一元件；在该半导体基底上形成一第一介电层，使该第一介电层覆盖该元件；在该第一介电层上形成一含氢层；在该第一介电层以及该含氢层上形成一氮化硅层；以及将该含氢层中的氢原子导入该第一介电层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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