[发明专利]表面声波元件、表面声波元件的制造方法无效
| 申请号： | 200510125795.X | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1783711A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 古畑诚;后藤健次;佐藤久克 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段，表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30)，在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10)，并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状，在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71～74)，在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90)，在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 声波 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面声波元件，在半导体基板上面的同一平面上并列地形成有半导体配线区域和SAW区域，其特征在于，设置有：在所述半导体配线区域中形成的金属配线；和在包括所述金属配线在内的所述半导体配线区域的表面和所述SAW区域的表面上形成的绝缘层，所述绝缘层的最上层在所述半导体配线区域和所述SAW区域上形成了距所述半导体基板的上面的厚度相同的同一平面，还设置有：在所述绝缘层的最上层表面形成的压电层；和在所述SAW区域的所述压电层的表面上形成的IDT。
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