[发明专利]三重工作电压元件有效
| 申请号： | 200510125862.8 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1979805A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 洪梓晏;邱明正;吴展良 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/761 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三重工作电压元件，其包括一第一型基底、一高压(HV)第一型井、一第二型井、一低压(LV)元件井、和一中压(MV)元件井。所述HV第一型井安置在所述第一型基底内部。所述第二型井安置在所述第一型基底内部，以使所述HV第一型井与所述第一型基底相分离。所述LV元件井与所述MV元件井藉由分离所述HV第一型井，而分离地安置在所述HV第一型井内部。所述三重工作电压元件有助于减小所述LV元件井与所述MV元件井之间的间隔，并可增进集成电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 三重 工作 电压 元件 | ||
【主权项】：
1、一种三重工作电压元件，其特征在于其包括：一第一型基底；一安置在所述第一型基底内部的高压第一型井；一安置在所述第一型基底内部以使所述高压第一型井与所述第一型基底相分离的第二型井；一安置在所述高压第一型井内部的低压元件井；以及一安置在所述高压第一型井内部的中压元件井，其中所述低压元件井与所述中压元件井由所述高压第一型井分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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