[发明专利]半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法有效
申请号: | 200510125903.3 | 申请日: | 2005-11-25 |
公开(公告)号: | CN1971863A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 许诗滨 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/36 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是一种半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法,该制法包括将具有至少一贯穿开孔的承载件接置在第一绝缘层上,并将至少一半导体芯片接置在该第一绝缘层上且收纳在该承载件开孔中,接着形成第二绝缘层在该承载件及芯片上,同时将第一及第二绝缘层进行压合粘着,使绝缘树脂充填入该承载板与芯片间的空隙,在该第二绝缘层上形成有电性连接到芯片的线路层,及在该第一绝缘层中形成连通到芯片的散热盲孔,协助半导体芯片将运行产生的热量逸散到外部;本发明可提供高密度及高性能的结构,能够均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,提高优良率,节省成本,提高产量,提升芯片的散热效能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 埋入 三维 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片埋入基板的三维构装结构的制法,其特征在于,该半导体芯片埋入基板的三维构装结构的制法包括:将具有至少一贯穿开孔的承载件接置在第一绝缘层上;将至少一半导体芯片接置在该第一绝缘层上且收纳在该承载件开孔中,该半导体芯片的表面形成有多个电极垫;在该承载件及芯片上形成第二绝缘层;以及两边同时压合粘着该第一绝缘层与该第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造