[发明专利]半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法有效

专利信息
申请号: 200510125903.3 申请日: 2005-11-25
公开(公告)号: CN1971863A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 许诗滨 申请(专利权)人: 全懋精密科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/36
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是一种半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法,该制法包括将具有至少一贯穿开孔的承载件接置在第一绝缘层上,并将至少一半导体芯片接置在该第一绝缘层上且收纳在该承载件开孔中,接着形成第二绝缘层在该承载件及芯片上,同时将第一及第二绝缘层进行压合粘着,使绝缘树脂充填入该承载板与芯片间的空隙,在该第二绝缘层上形成有电性连接到芯片的线路层,及在该第一绝缘层中形成连通到芯片的散热盲孔,协助半导体芯片将运行产生的热量逸散到外部;本发明可提供高密度及高性能的结构,能够均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,提高优良率,节省成本,提高产量,提升芯片的散热效能。
搜索关键词: 半导体 芯片 埋入 三维 结构 及其 制法
【主权项】:
1.一种半导体芯片埋入基板的三维构装结构的制法,其特征在于,该半导体芯片埋入基板的三维构装结构的制法包括:将具有至少一贯穿开孔的承载件接置在第一绝缘层上;将至少一半导体芯片接置在该第一绝缘层上且收纳在该承载件开孔中,该半导体芯片的表面形成有多个电极垫;在该承载件及芯片上形成第二绝缘层;以及两边同时压合粘着该第一绝缘层与该第二绝缘层。
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