[发明专利]采用测试校准提高器件参数精度的方法有效
| 申请号： | 200510126025.7 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1979367A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 叶茵 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/63 | 分类号： | G05F1/63 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种在芯片的WAFER测试阶段采用测试仪的高精度测试通道对集成电路芯片进行器件参数校准的方法，该方法可克服集成电路制造工艺带来的电路参数偏差，简化电路设计，提高集成电路中的参数设计精度。此方法带来的测试开销小，在产品的量产测试中可实现性好。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 测试 校准 提高 器件 参数 精度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用测试校准提高器件参数精度的方法，包括在集成电路芯片测试时校准器件参数的概念，该方法通过扫描输入控制参数至相关参数控制单元调节高精度电路的输出，同时通过测试机的测试通道对该输出进行高精度标定，一旦符合精度要求，即将控制参数存入非易失存储器，在应用时将该参数读出配置相关参数调整单元以保证高精度电路的输出精度。
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