[发明专利]磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法有效
| 申请号： | 200510126142.3 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1855296A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;邓端理;赖理学;王昭雄;赖逢时 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00;H01L27/10;H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;苏兆人 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该受选取的读取线进行取样以获得第二信号，比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取的磁性存储单元的逻辑状态。本发明所述磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，于读取之后无需再度将原先数据写入受读取的存储单元中，故可避免消耗额外的时间与电源。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 阵列 辨别 逻辑 状态 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储单元的阵列，其特征在于，每个该磁性存储单元包括由自由铁磁性层、固定铁磁性层、以及位于前二者间的绝缘通道障壁组成的堆叠，其中一写入信号与一磁场于受选取磁性存储单元处产生的合并磁场强度超过可改变该受选取磁性存储单元的电阻值的低限磁场强度，该磁性存储单元的阵列包括：多个的磁性存储单元，相耦接在一起；多个的第一导线，分别对应于每一该多个的磁性存储单元，用以于读取动作时于邻近于受选取磁性存储单元处施加一调整信号，该调整信号产生一磁场，该磁场的强度足以改变该受选取磁性存储单元的磁矩；第二导线，垂直于每一该多个的第一导线，用以施加第一读取信号至该多个的磁性存储单元，以及于该调整信号施加至邻近于该受选取存储单元处时，用以施加第二读取信号至该多个的磁性存储单元；以及感测电路，耦接至该第二导线，用以比较该第一读取信号与该第二读取信号，以便辨别该受选取存储单元的逻辑状态。
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