[发明专利]用于模拟集成电路设计中的分段式交叉耦合MOS管

摘要

本发明涉及用于模拟集成电路设计中的分段式交叉耦合MOS管，属于基本电路设计领域，本发明由并联在一起的k组交叉耦合MOS管单元组成，k为等于或大于2的正整数；该每个交叉耦合MOS管单元包括以交叉耦合的方式连接的两个相同尺寸的MOS管、为其提供偏置电流的MOS管以及控制该交叉耦合MOS管所工作状态的单刀双掷开关；本发明将交叉耦合MOS管及其偏置电路分为可开关切换的若干段，使其特性可以在大范围内改变，以补偿在VCO中因电容调整而引起的振荡器工作状态变化。本发明可以大大拓展CMOS LC VCO的频率覆盖范围。

主权项

1、一种用于模拟集成电路设计中的分段式交叉耦合NMOS管，其特征在于，由并联在一起的k组交叉耦合NMOS管单元组成，k为等于或大于2的正整数；所述每个交叉耦合NMOS管单元包括以交叉耦合的方式连接的两个相同尺寸的NMOS管、为其提供偏置电流的NMOS管以及控制该交叉耦合NMOS管所工作状态的单刀双掷开关。其连接关系为：k组交叉耦合NMOS管单元并联接于对外连接的支路(1-1’)端口；各单元的偏置NMOS管的漏极与其相应的交叉耦合NMOS管的源极相连，该偏置NMOS管的源极接地；该各偏置NMOS管的栅极连接相应的单刀双掷开关的动触点；该各单刀双掷开关的两个静触点分别接偏置电压Vref和地电位；所述每一单元的偏置NMOS管的栅极均可通过所述的单刀双掷开关与-NMOS管相连构成电流镜或与地电位相连切断该单元偏置电流。