[发明专利]闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法无效
| 申请号： | 200510126238.X | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1978713A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 赵有文;董志远;段满龙;魏学成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生 长。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 相传 生长 zno 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法，在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。
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