[发明专利]一种可调整局部耦合强度的ICP线圈有效
| 申请号： | 200510126283.5 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1851844A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 申浩南 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 司君智 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及电感耦合等离子体装置线圈。本发明公开的一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其中，线圈基体上串连若干个螺旋线圈。本发明能够任意调整线圈与等离子体局部的耦合强度，使晶片加工反应腔室中等离子体均匀分布，从而改变局部的刻蚀速率，改善晶片刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调整 局部 耦合 强度 icp 线圈 | ||
【主权项】：
1、一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其特征在于：所述线圈基体上串连若干个螺旋线圈。
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