[发明专利]一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 200510126289.2 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1851049A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙静 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 司君智 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅栅刻蚀方法，其步骤如下：(1)初刻前刻蚀步骤；(2)初刻；(3)主刻；(4)过刻。其中初刻前刻蚀步骤在硬掩膜刻蚀后、多晶硅刻蚀前进行，用SF6或NF3作为反应气体，或者包括选自CxHyFz、Cl2、O2中的一种或几种气体。本发明的刻蚀方法可以很好的去除光胶在硅表面的聚合物残留，从而减小了其对线条粗糙度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 线条 粗糙 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅刻蚀方法，其步骤如下：(1)初刻前刻蚀、(2)初刻、(3)主刻和(4)过刻，其中步骤(1)中所用工艺气体为SF6或NF3。
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