[发明专利]一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺有效
| 申请号： | 200510126299.6 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1851873A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陶林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;C23F1/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 向华 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺，其包括贯穿步、主刻步、基点刻蚀步和过刻步。该工艺能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过在硅栅刻蚀工艺主刻步骤后增加基点刻蚀步骤，在保证刻蚀剖面陡直的同时，有效避免了微沟槽现象的出现，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 避免 沟槽 现象 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种能够避免微沟槽现象的栅刻蚀工艺，包括贯穿步、主刻步和过刻步，其特征在于所述主刻步后增加基点刻蚀步。
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