[发明专利]一种提高产量和减小硅片表面粗糙度的硅片卸载工艺有效
| 申请号： | 200510126300.5 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1848369A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 向华 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新的硅片卸载工艺，包括(1)静电卡盘表面电荷中和；(2)硅片表面残余电荷消除。其中步骤(1)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT，上电极功率150－300W；步骤(2)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT上电极功率80－150W。利用本发明的工艺，不仅能够缩短硅片卸载时间，提高产量，并且能够减小硅片表面粗糙度，满足先进栅刻蚀工艺的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 产量 减小 硅片 表面 粗糙 卸载 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种硅片卸载工艺，包括以下步骤：(1)静电卡盘表面电荷中和；和(2)硅片表面残余电荷消除，其中步骤(1)中气体流量为200-400sccm，腔室内的压强为60-90mT，上电极功率为150-300W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
