[发明专利]半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路无效

专利信息
申请号: 200510126324.0 申请日: 2005-12-07
公开(公告)号: CN1979978A 公开(公告)日: 2007-06-13
发明(设计)人: 王勇刚;马骁宇 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08;H01S3/098
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路,其中包括:一半导体泵浦系统,该半导体泵浦系统的泵浦波长是808nm;一激光晶体,该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一;一折叠腔镜,该折叠腔镜位于激光晶体的前端,将激光晶体的光线折叠一角度;一半导体吸收镜,该半导体吸收镜作为吸收体的同时兼作为激光腔的两个端镜之一;一聚焦镜,该聚焦镜位于折叠腔镜和半导体吸收镜之间,将激光聚焦在半导体吸收镜上。
搜索关键词: 半导体 吸收 被动 激光器 结构
【主权项】:
1、一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路,其特征在于,其中包括:一半导体泵浦系统,该半导体泵浦系统的泵浦波长是808nm;一激光晶体,该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一;一折叠腔镜,该折叠腔镜位于激光晶体的前端,将激光晶体的光线折叠一角度;一半导体吸收镜,该半导体吸收镜作为吸收体的同时兼作为激光腔的两个端镜之一;一聚焦镜,该聚焦镜位于折叠腔镜和半导体吸收镜之间,将激光聚焦在半导体吸收镜上。
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