[发明专利]光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜无效
| 申请号： | 200510126328.9 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979980A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王勇刚;马骁宇;王翠鸾;林涛;王俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，每对应变补偿的单量子阱包括：下垒层、补偿层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 激光器 被动 锁模用 半导体 饱和 吸收 | ||
【主权项】：
1、一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，每对应变补偿的单量子阱包括：下垒层、补偿层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用。
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