[发明专利]等离子体反应装置有效
| 申请号： | 200510126346.7 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1848372A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/56;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于半导体晶圆制造工艺中的等离子体反应装置。本发明等离子体反应装置包括安装在腔室壁上面的绝缘窗体，其中所述绝缘窗体包括具有进气口的上盖和基盖，其中基盖内设有腔室，腔室底壁上均匀分布有若干中央孔。本发明的等离子体反应装置的优点和积极效果在于：由于绝缘窗体由上盖和基盖组成，且基盖内设有腔室，腔室底壁上均匀分布有若干中央孔。所以，由进气口进入的反应气体在基盖的腔室内受到底壁的缓冲，在整个腔室内趋于均匀，再由底壁的若干中央孔进入反应室，在反应室内的分布也趋于均匀；而且基盖腔室底壁的面积比较大，对反应室来说相当于有若干个进气口同时进气，所以，反应室内气体更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 反应 装置 | ||
【主权项】：
1.等离子体反应装置，包括安装在腔室壁(3)上面的绝缘窗体(2)，其特征在于所述绝缘窗体(2)包括具有进气口(4)的上盖(21)和基盖(22)，其中基盖(22)内设有腔室，腔室底壁上均匀分布有若干中央孔(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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