[发明专利]下抽气式刻蚀装置有效
| 申请号： | 200510126353.7 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1851854A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张之山 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片加工中的刻蚀装置。本发明下抽气式刻蚀装置包括具有进气口的反应室和具有排气口的抽气室，其中所述抽气室位于反应室的下方，二者之间连接有对称布置的左排气通道和右排气通道，所述排气口和进气口位于同一轴线上。本发明的下抽气式刻蚀装置的优点和积极效果在于：本发明中，由于排气口和进气口位于同一轴线上，且左、右排气通道对称布置，所以反应室内、静电卡盘表面上方的气流流速对称地向两侧流动，基本上实现了对反应腔室的均匀抽气，保证了反应气体进入反应腔室后在静电卡盘表面上方的分布的轴对称性，致使形成的反应基团与被刻蚀晶片表面发生的化学反应速度差异较小，使刻蚀速率具有较好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 下抽气式 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
1.下抽气式刻蚀装置，包括具有进气口(3)的反应室(1)和具有排气口(4)的抽气室(2)，其特征在于所述抽气室(2)位于反应室(1)的下方，二者之间连接有对称布置的左排气通道(7)和右排气通道(8)，所述排气口(4)和进气口(3)位于同一轴线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510126353.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
