[发明专利]一种用于半导体处理的反应室有效
| 申请号： | 200510126373.4 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1851856A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 姚立强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡世英 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置1、反应室上盖2、反应腔室3、静电卡盘4和真空泵6，静电卡盘4用于支撑半导体晶片5，真空泵6用于使反应室获得低气压。气体分配装置有两路气体输入，可以分别控制压力和流量。第一路气体输入A远离真空泵入口，控制等离子反应室中远离真空泵一侧的气体分布，第二路气体输入B靠近真空泵入口，控制等离子反应室中靠近真空泵一侧的气体分布，通过调整气体分配装置1的参数可以使整个晶片上得到均匀的气体分布。在下抽气方式中，本发明可以补偿真空泵对等离子反应室中气体分布的影响，使反应气体在半导体晶片上得到均匀的分布，从而使半导体设备加工时具有均匀的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 处理 反应 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置(1)，安装在反应室上盖(2)中部，其特征在于，所述气体分配装置(1)设有两路气体输入(A、B)，其中第一路气体输入(A)远离真空泵(6)入口，第二路气体输入(B)靠近真空泵(6)入口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510126373.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
