[发明专利]气体注入及扩散系统有效
| 申请号： | 200510126378.7 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1851858A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王志升 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡世英 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工过程中向半导体加工腔室内注入和扩散气体的系统，包括密封安装在反应腔室上的真空板，与真空板密封相接的喷嘴，该喷嘴穿过与真空板牢固联接的微型电机的空心转轴，真空转轴的端部具有至少一个扩散管，在扩散管上分布有出气孔。该系统改变了半导体刻蚀设备传统的气体注入和扩散方式，改善了气体分布的均匀性，气体的动扩散使趋向均匀性的速度更快，从而有助于在晶片表面的各点上获得更加相近的刻蚀速率。而且注入气路也不复杂。随着以后晶片尺寸的不断增大，将更会体现本技术方案的优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 注入 扩散 系统 | ||
【主权项】：
1.气体注入及扩散系统，其特征是包括密封安装在反应腔室(1)上的真空板(3)，与真空板(3)密封相接的喷嘴(4)，该喷嘴穿过与真空板3牢固联接的微型电机(5)的空心转轴(7)，真空转轴的端部具有至少一个扩散管(2)，在扩散管上分布有出气孔(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
