[发明专利]一种消除刻蚀工艺过程中残余气体的控制方法有效

专利信息
申请号: 200510126380.4 申请日: 2005-12-08
公开(公告)号: CN1851052A 公开(公告)日: 2006-10-25
发明(设计)人: 唐果 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23F4/04 分类号: C23F4/04;H01L21/3065
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 蔡世英
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种消除刻蚀工艺过程中残余气体的控制方法,包括以下步骤:在刻蚀工艺步骤结束时,关闭气体总阀门(V5)和各气体分阀门(V11~V77);此时硅片正在传送,打开干泵阀门(V9);利用干泵对气体总阀门(V5)和各气体分阀门(V11~V77)之间的管路进行残气抽除;延续5~10s后,关闭干泵及干泵阀门(V9)。本发明的方法通过控制干泵阀门的开闭及干泵的启动/停止,在硅片传送的同时进行残气抽除,可以节省用分子泵抽净残气的时间,大幅提高设备的生产率。
搜索关键词: 一种 消除 刻蚀 工艺 过程 残余 气体 控制 方法
【主权项】:
1、一种消除刻蚀工艺过程中残余气体的控制方法,包括以下步骤:在刻蚀工艺步骤结束时,关闭气体总阀门(V5)和各气体分阀门(V11~V77);在开始硅片传送时,打开干泵阀门(V9);利用干泵对气体总阀门(V5)和各气体分阀门(V11~V77)之间的管路进行残气抽除;延续一段时间,关闭干泵及干泵阀门(V9)。
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