[发明专利]一种表面纳米锥阵列及其制作方法无效
| 申请号： | 200510126427.7 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1978310A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;王强;李俊杰;王宗利 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及表面纳米锥及其制作方法，该表面纳米锥阵列是采用等离子体刻蚀技术，在衬底上制备出纳米锥阵列，其纳米锥具有长径比在50－8000之间，尖部曲率半径低于5纳米，底部直径为200纳米到2000纳米，锥角为16°－72°，密度为109cm－2－105cm－2。其制备方法为在加偏压的化学气相沉积设备中，经过清洗衬底处理，置于CVD设备中，抽真空至10－2Torr；采用等离子体预刻蚀处理，再关掉偏压和灯丝电流，重新抽真空至10－2Torr；再进行等离子体刻蚀形成表面纳米锥阵列。该表面纳米锥阵列具有可控的长径比、可控的密度、小的尖部曲率半径，以及适用材料范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 纳米 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面纳米锥阵列，其特征在于，所述表面纳米锥阵列是采用等离子体刻蚀技术，在衬底上制备出纳米锥阵列，其纳米锥具有长径比在50-8000之间，尖部曲率半径低于5纳米，底部直径为200纳米到2000纳米，锥角为16°-72°，密度为109cm-2-105cm-2。
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