[发明专利]一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 200510126428.1 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1979210A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 覃启航;韩秀峰;王磊;马明;魏红祥;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面集成的三维磁场传感器，其包括：一个片基和其上的缓冲层，以及三个位于缓冲层上不同区域的、独立的、磁性多层膜构成的磁性传感器单元，在没有外加磁场时三个磁性传感器单元的自由层有同一个易轴方向，钉扎层的三个易轴方向相互垂直，分别具有垂直于片基平面磁场感应方向和平行于片基平面、且相互垂直的二维磁场感应方向。该平面集成的三维磁场传感器可用于检测三维磁场。由于本发明将测量三维方向的磁场传感器集中在一块芯片上，减小了传感器体积，降低了成本，大大提高了三维磁性传感器的稳定性，尤其是可以与大规模集成电路工艺相兼容，在一些特定条件下有着很多不可替代的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 集成 三维 磁场 传感器 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种平面集成的三维磁场传感器，包括：一个片基和其上的缓冲层，以及三个位于缓冲层上不同区域的、独立的、磁性多层膜构成的磁性传感器单元，其特征在于：所述的每一个磁性传感器单元均包括反铁磁层，钉扎层，非磁性层，自由层和覆盖层，且钉扎层和自由层的磁化强度方向相互垂直，在没有外加磁场时，钉扎层的三个易轴方向相互垂直，分别具有垂直于片基平面磁场感应方向和平行于片基平面、且相互垂直的二维磁场感应方向。
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