[发明专利]一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法有效
| 申请号： | 200510126446.X | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1848374A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张继宏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;G03F7/00;G05D27/00;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行，所述工艺处方包括各种特殊气体的流量、反应腔室的压力、氦气的压力、反应腔室的温度、反应的最长、反应的最短时间或反应的结束条件等及各参数的不同组合，工艺处方中包含有一个或多个分步反应条件，利用工艺处方及其中的各个分步反应条件来控制硅片刻蚀，可以把复杂的参数设置、更改工作简化，通过预先设置的方式，灵活方便地控制和更改各种参数，控制反应腔室的各种反应条件和刻蚀反应结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 刻蚀 工艺 处方 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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