[发明专利]一种在晶片刻蚀设备中彻底释放晶片静电的方法

摘要

半导体设备中，晶片在反应室中静电卡盘上依靠静电固定，进行工艺处理。工艺结束后，释放静电，取走晶片。本文在实际试验的基础上提出了一种利用氩气起辉的离子导电性彻底清除静电的方法，使用更短的时间，克服了原来方法中静电消除不净导致取片时存在静电引力的缺陷，达到了满意的效果。

主权项

1.一种在晶片刻蚀设备中彻底释放硅片静电的方法，其特征是所述方法包括如下步骤：a)通入一定流量的用于起辉的惰性气体至反应腔室；b)控制摆阀，使反应腔室的压力稳定在一个固定的压力值；c)射频电源输出功率，以让惰性气体开始起辉；d)在静电卡盘上加载反向电压一段时间T1，以消除静电卡盘上的大部分静电；e)延时一段时间T2，以利用惰性气体起辉的离子导电性消除静电卡盘上的残余静电。其中，所述的时间T1和T2由试验测得，所述试验包括如下步骤：(1)将晶片通过机械手放在静电卡盘上，加载静电引力后进行工艺试验；(2)试验结束后，在静电卡盘上加载反向电压一段时间T1，延时一段时间T2；(3)将晶片通过机械手从静电卡盘上取出；(4)重复以上的(1)～(3)步骤3000次以上，且每次都调整T1和T2，使T1+T2的总和越来越小，发现晶片的取放无故障，证明T1、T2的试验参数合适。