[发明专利]一种硅片卸载工艺无效
| 申请号： | 200510126457.8 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1851864A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 白志民 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/683;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅片卸载工艺，其步骤包括吹扫和卸载，其中吹扫步中工艺气体为O2和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O2。本发明的硅片卸载工艺既可以有效的释放硅片上残留的电荷，还可以去除聚合物，降低颗粒和缺陷的数量，提高了产品的良率和产率。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性，还可以避免系统升级、节约大笔开支。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 卸载 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种硅片卸载工艺，包括以下步骤：吹扫和卸载，其特征在于吹扫步中工艺气体为O2和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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