[发明专利]单模量子级联激光器的器件结构及制作方法

摘要

一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；一n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；一n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；一SiO₂电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO₂电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；一正面n型电极制作在SiO₂电绝缘层上；一背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。

主权项

1.一种单模量子级联激光器的器件结构，其特征在于，其中包括：-n型磷化铟衬底，作为下包层；-n型铟镓砷下波导层，该铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制，该n型铟镓砷下波导层为三段结构，其之间形成双沟脊型结构；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层，该有源层制作在三段结构的下波导层上，作为发光区；-n型铟镓砷上波导层，该铟镓砷上波导层制作在有源层上，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；-n型铟铝砷上包层，该铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；-n型铟镓砷高掺杂接触层，该n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；-n型铟镓砷欧姆接触层，该n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；-SiO2电绝缘层，该SiO2电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO2电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；-正面n型电极，该正面n型电极制作在SiO2电绝缘层上，并覆盖电流注入窗口；-背面n型电极，该背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。