[发明专利]利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法有效
申请号: | 200510126492.X | 申请日: | 2005-12-14 |
公开(公告)号: | CN1982202A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 涂德钰;王丛舜;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;G03F7/00;G03F7/12;G02B5/18;G03H1/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 段成云 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法,其工艺步骤如下:1.在透光基片上淀积一层结构薄膜;2.淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜;3.根据线条设计要求重复步骤1和2;4.采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面,得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列;5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙,形成纳米压印模版。 | ||
搜索关键词: | 利用 多层 技术 制备 纳米 压印 模版 方法 | ||
【主权项】:
1、利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法,是由数次淀积、一次平坦化和一次选择腐蚀,获得纳米压印模版;其特征在于,其步骤如下:步骤1、在图形化基片上淀积第一层结构薄膜;步骤2、淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜;步骤3、根据线条设计要求重复步骤1和2;步骤4、采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面,得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列;步骤5、选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙,形成纳米压印模版。
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