[发明专利]利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法有效
| 申请号： | 200510126492.X | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1982202A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;王丛舜;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/00;G03F7/12;G02B5/18;G03H1/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法，其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层结构薄膜；2.淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜；3.根据线条设计要求重复步骤1和2；4.采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面，得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列；5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙，形成纳米压印模版。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多层 技术 制备 纳米 压印 模版 方法 | ||
【主权项】：
1、利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法，是由数次淀积、一次平坦化和一次选择腐蚀，获得纳米压印模版；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在图形化基片上淀积第一层结构薄膜；步骤2、淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜；步骤3、根据线条设计要求重复步骤1和2；步骤4、采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面，得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列；步骤5、选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙，形成纳米压印模版。
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