[发明专利]金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法是一种基于高分子保护条件下的金属单质的插层方法，即先将聚合物与含有金属离子的水溶液混合形成均匀的溶胶体系，然后将溶胶插入到单层二硫化钼层间，最后对金属离子进行还原处理即得到含高分子和金属单质的二硫化钼插层复合材料。该方法开辟了合成插层复合材料的新途径，所制备的插层复合材料中金属离子已被完全转化成金属单质，而不是金属离子和金属单质的混合物。这种高分子保护条件下的金属单质的插层方法简单实用，有广阔的应用前景。本发明的材料的电导率较二硫化钼提高了6个数量级，在导电材料，润滑材料，微电子机械领域具有潜在应用价值。

主权项

1、一种金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法，其特征在于该方法按下列顺序步骤进行的：a在硝酸银水溶液中，加入等摩尔的氢氧化钠水溶液，将硝酸银转化为氧化银，然后用去离子水洗涤后溶解于氨水中；再与聚合物水溶液混合均匀得到混合溶液；聚合物选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚甲基丙烯酸；b将上述混合溶液加入LiMoS2水溶液中，搅拌6～30小时后，加入过量的0.1M甲酸水溶液，反应产物经离心分离和去离子水洗涤后，真空干燥，即得到金属银二硫化钼插层复合材料。