[发明专利]氮化物半导体发光器件

摘要

一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。

主权项

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括：一个量子阱结构的有源层，该有源层由含有铟和镓的氮化物半导体构成，并设置在一个n型氮化物半导体层和一个P型半导体层之间；所述n型半导体层含有第一n型覆盖层，所述n型覆盖层由含有铟和镓的n型氮化物半导体构成；所述P型半导体层含有一P型覆盖层，所述P型覆盖层由含有铝和镓的P型氮化物半导体构成，并具有10至1.0μm范围内的厚度。