[发明专利]氮化物半导体发光器件无效
申请号: | 200510126712.9 | 申请日: | 1995-12-04 |
公开(公告)号: | CN1790761A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 中村修二;长滨慎一;岩佐成人;清久裕之 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01S5/343 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林潮;樊卫民 |
地址: | 日本德岛*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种氮化物半导体发光器件,具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14),其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种氮化物半导体发光器件,其特征在于包括:一个量子阱结构的有源层,该有源层由含有铟和镓的氮化物半导体构成,并设置在一个n型氮化物半导体层和一个P型半导体层之间;所述n型半导体层含有第一n型覆盖层,所述n型覆盖层由含有铟和镓的n型氮化物半导体构成;所述P型半导体层含有一P型覆盖层,所述P型覆盖层由含有铝和镓的P型氮化物半导体构成,并具有10至1.0μm范围内的厚度。
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