[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510126719.0 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1801397A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 菅原宽;渡边一央 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/417;G11C16/06;G11C8/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件(1)具有：字驱动器(20)，用于将驱动电压(VXPG_ij)施加到与存储单元相连的字线(SX)；以及内部电源电路(30)，用于将所述驱动电压(VXPG_ij)提供给所述字驱动器(20)，并且将衬底电压(VXPG_i)施加到字驱动器(20)中包括的晶体管(41，42，51)的背栅(41b，42b，51b)。内部电源电路(30)彼此独立地控制驱动电压(VXPG_ij)和衬底电压(VXPG_i)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：字驱动器，用于将驱动电压施加到与存储单元相连的字线；以及内部电源电路，用于将所述驱动电压提供给所述字驱动器并且将衬底电压施加到所述字驱动器中包括的晶体管的背栅，其中所述内部电源电路彼此独立地控制所述驱动电压和所述衬底电压。
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