[发明专利]同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺有效
| 申请号： | 200510126850.7 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971855A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 周珮玉;廖俊雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法。此孔径不同开口的工艺是先于目标材料层上形成抗反射层及图案化的光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一、第二开口图案。接着以光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻抗反射层与材料层，以于对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口，其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案，而形成第一孔径差；并使得第二开口的孔径小于第二开口图案，而形成第二孔径差，其与第一孔径差之间的差值称相对孔径差。本方法的特征在于：在蚀刻抗反射层时，将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值；且在蚀刻材料层时，将此蚀刻参数设定为第二数值，此第二数值异于第一数值。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 控制 孔径 不同 开口 方法 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其中该方法包括：于目标的材料层上形成抗反射层与图案化的光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一开口图案与第二开口图案；以及以此光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻前述抗反射层与材料层，以于对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口，其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案的孔径，而形成第一孔径差；并使得第二开口的孔径小于第二开口图案的孔径，而形成第二孔径差，此第二孔径差与第一孔径差之间的差值称为相对孔径差，此方法的特征在于：在蚀刻前述抗反射层时，将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值；且在蚀刻前述材料层时，将此蚀刻参数设定为第二数值，此第二数值异于第一数值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510126850.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
