[发明专利]膜层结构及其移除方法及半导体机器的测试方法无效
申请号: | 200510126853.0 | 申请日: | 2005-11-24 |
公开(公告)号: | CN1970834A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 王之俊 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/30;H01L21/205;H01L21/365 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体机器的测试方法。首先提供一晶片。于晶片上形成移除辅助层。于移除辅助层上形成预定厚度的低介电常数介电层。测量低介电层常数介电层的实际厚度。比较预定厚度与实际厚度,以判断沉积机器是否正常运作。移除低介电常数介电层,再移除移除辅助层。此方法可以使测试晶片重复使用以降低成本。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 方法 半导体 机器 测试 | ||
【主权项】:
1、一种膜层结构,设置于一晶片上,适用于一半导体机器的测试中,该膜层结构包括:一移除辅助层;以及一低介电常数介电层,设置于该移除辅助层上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的