[发明专利]负极及电池有效
| 申请号： | 200510126878.0 | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1783553A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 小西池勇;川瀬贤一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/64 | 分类号： | H01M4/64;H01M4/02;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够改善循环特性的负极和使用其的电池。在负极集电体上提供包含Si的负极活性材料层。通过在具有粗糙度分布十点高度Rz1为2.0μm或更小的基底材料上提供凸出部使负极集电体粗糙化。通过从负极集电体的粗糙度分布十点高度Rz2中减去基底材料的粗糙度分布十点高度Rz1得到的差的值Rz2－Rz1为0.2μm－5.1μm。从而，即使当负极活性材料层由于充电和放电而膨胀和收缩时，也可防止负极集电体的破裂、负极活性材料层的脱落等。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 电池 | ||
【主权项】：
1.一种负极，其中在负极集电体上提供包含硅(Si)作为元素的负极活性材料层，其中该负极集电体具有基底材料和提供在该基底材料上的凸出部，在其上提供有负极活性材料层的面上的基底材料的粗糙度分布十点高度Rz1为2.0μm或更小，及通过从其上提供有负极活性材料层的面上的负极集电体的粗糙度分布十点高度Rz2中减去基底材料的粗糙度分布十点高度Rz1得到的差Rz2-Rz1为0.2μm-5.1μm。
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