[发明专利]聚硅氧烷薄层的生产方法,薄层聚硅氧烷及其应用有效

专利信息
申请号: 200510126944.4 申请日: 2005-11-28
公开(公告)号: CN1799811A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 约瑟夫·穆勒;瓦尔特·冈特;迈克尔·鲍尔;库尔特·施塔克 申请(专利权)人: 德国胡塔玛基股份有限两合公司胡塔玛基福希海姆分公司
主分类号: B29C47/14 分类号: B29C47/14;B29C47/02;B29C47/06;B29C69/00;B29C65/48;B29C51/00;B32B27/06;C09J129/04;C09J129/00;C09J133/00;B29K83/00;B29K23/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郭国清;樊卫民
地址: 德国福*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种生产可挤出聚硅氧烷薄层的方法,其中挤出该聚硅氧烷层。本发明中聚硅氧烷层可挤出到基质层上,或聚硅氧烷层与基质层一起从挤出模头中挤出。
搜索关键词: 聚硅氧烷 薄层 生产 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种生产可挤出聚硅氧烷薄层的方法,其中挤出该聚硅氧烷层。
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