[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

摘要

一种互补式金属氧化物半导体元件，互补式金属氧化物半导体元件包括衬底、第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管、蚀刻终止层、第一应力层及第二应力层。其中，衬底具有第一有源区与第二有源区，且第一有源区与第二有源区之间以一隔离结构区隔。第一型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第一有源区，而第二型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第二有源区。蚀刻终止层顺应性地覆盖住第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管与隔离结构。另外，第一应力层配置于第一有源区的蚀刻终止层上，而第二应力层配置于第二有源区的蚀刻终止层上。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底具有一第一有源区与一第二有源区，且该第一有源区与该第二有源区之间以一隔离结构区隔；分别于该衬底的该第一有源区与该第二有源区形成一第一型金属氧化物半导体晶体管与一第二型金属氧化物半导体晶体管；于该衬底上方形成一第一蚀刻终止层，顺应性地覆盖住该第一型金属氧化物半导体晶体管、该第二型金属氧化物半导体晶体管与该隔离结构；于该第一蚀刻终止层上依序形成一第一应力层与一第二蚀刻终止层；于该第一有源区的该第二蚀刻终止层上形成一第一光致抗蚀剂层；以该第一光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第二蚀刻终止层与部分该第一应力层，至暴露出该第一蚀刻终止层；移除该第一光致抗蚀剂层；于该衬底上方形成一第二应力层，覆盖该第一蚀刻终止层与该第二蚀刻终止层；于该第二有源区的该第二应力层上形成一第二光致抗蚀剂层；以该第二光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第二应力层，至暴露出该第二蚀刻终止层；以及移除该第二光致抗蚀剂层与该第二蚀刻终止层。