[发明专利]非易失存储器件和使用列的子集的编程方法无效
申请号: | 200510126994.2 | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN1808622A | 公开(公告)日: | 2006-07-26 |
发明(设计)人: | 李镐吉;李真烨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10;G11C7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 非易失存储器件包括:存储单元阵列,其具有以行和列排列的存储单元;和地址存储单元,被配置来在其中存储开始列地址的指示符和结束列地址的指示符,以识别从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集;编程电路,被配置来验证从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集处的所选择行的编程操作。还提供了编程非易失存储器件的类似方法。 | ||
搜索关键词: | 非易失 存储 器件 使用 子集 编程 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非易失存储器件,包括:存储单元阵列,其具有以行和列排列的存储单元;页面缓存电路,其被配置来在编程验证期间从所选择行的存储单元读出数据位;地址存储电路,其被配置来存储要被在存储单元阵列中进行编程的数据的列地址信息,其中列地址信息包括开始列地址和结束列地址;地址产生电路,其被配置来顺序地产生列地址以响应于地址存储电路的开始地址来选择读出数据位;和扫描控制电路,其被配置为在由地址产生电路所产生的列地址与结束列地址一致时结束编程操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510126994.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光器件及其制备方法
- 下一篇:二次电池模块